_WELCOMETO Radioland

русский Головна Схеми Документація Студентам Програми Пошук Top50  
Пошук на сайті



Навігація
Головна
Схеми
Автоелектроніка
Акустика
Аудіо
Вимірювання
Комп'ютери
Живлення
Прог. пристрої
Радіо
Радіошпигунство
Телебачення
Телефонія
Цифр. електроніка
Інші
Додати схему
Документація
Мікросхеми
Транзистори
Інше
Файли
Утиліти
Радіолюб. розрахунки
Програмування
Інше
Студентам
Реферати
Курсові
Дипломи
Інформація
Пошук по сайту
Найпопулярнішее
Карта сайту
Зворотній зв'язок

ua
Схеми


Схеми > Живлення > Імпульсний блок живлення пристроїв пам'яті

Імпульсний блок живлення пристроїв пам'яті

Предлагаемый стабилизатор напряжения блока питания устройств памяти разработан с учетом требований к источнику питания компьютера, и практически свободен от некоторых недостатков, присущих аналогичным устройствам. Связь выхода блока с входом - трансформаторная, что исключает возможность повышения выходного напряжения при выходе из строя ключевого транзистора. Высокий КПД стабилизатора (более 75 %) упрощает проблему отвода тепла.
   Устройство не содержит дефицитных деталей и не критично к их параметрам. В связи с тем, что на некоторые микросхемы памяти запрещено подавать питание +5 В без напряжения -5 В, в описываемом стабилизаторе предусмотрена возможность блокировки его при пропадании входного напряжения -5 В.
   Стабилизатор позволяет устанавливать выходное напряжение в пределах 2...40 В.
   Устройство (рис.1) образуют мультивибратор на транзисторах VT4 и VT5 с регулятором скважности импульсов на транзисторе VT2; усилитель тока на транзисторах VT6 и VT7; узел вольтодобавки, состоящий из обмотки П трансформатора Т1, диода VD2, резистора R14 и конденсатора С3; выходной узел, включающий в себя обмотку III трансформатора Т1, выпрямитель на диоде VD3, выходной фильтр L1C4-C6; узел сравнения на транзисторе VT1, стабилитроне VD1 и резисторах R1-R4.

   Основные технические характеристики стабилизатора

    Напряжение источника питания, В . . . 11..15
    Выходное напряжение, В . . . 5
    Напряжение пульсаций, В, не более . . . 0,25
    Выходной ток, А . . . 0,5..1,6
    КПД, % . . . 75..85
    Частота преобразования, кГц . . . 8..40


 

Рис. 1

печатная плата в формате TIFF 1024 x 478, 300 dpi (104k zip) >> 


   Стабилизатор может работать и при токе нагрузки, меньшем указанного, однако при этом уровень пульсаций может превысить 0,25 В. Это происходит из-за уменьшения частоты преобразования стабилизатора. Уменьшить пульсации можно заменой конденсаторов фильтра С4-С6 другими, с большей емкостью. К увеличению уровня пульсаций приводит и повышение напряжения питания стабилизатора.
   При подаче питания на блок и наличии напряжения - 5 В транзисторы VT1, VT2 и VT3 закрыты, поэтому мультивибратор начинает работать на некоторой частоте. Импульсы мультивибратора фиксированной длительности, усиленные по току транзисторами VT6 и VT7, открывают ключевые транзисторы VT8, VT9, и через них начинает протекать ток в обмотку I импульсного трансформатора Т1. После закрывания ключевых транзисторов напряжение самоиндукции трансформатора, снимаемое с обмоток II и III, через диоды VD2 и VD3 заряжает соответственно конденсаторы C3 и C4.
   В случае повышения напряжения на конденсаторе C6 более 5 В открываются транзисторы VT1 и VT2, что приводит к увеличению скважности импульсов мультивибратора и, следовательно, уменьшению выходного напряжени блока.
   Обмотка II импульсного трансформатора совмесно с диодом VD2 и конденсатором C3 образуют источник вольтодобавки - постоянного напряжения 2…3 В, которое не позволяет транзистору VT8 входить в насыщение и тем самым увеличивает быстродействие ключевой ступени и КПД устройства в целом.
   Узел блокировки, выключающий питание устройства памяти в случае пропадания напряжения -5 В, образуют транзистор VT3 я резисторы R5, R6. При пропадании этого напряжения тут же полностью открывается транзистор VT3 и малым сопротивлением шунтирует цепь базы транзистора VT4, блокируя работу мультивибратора стабилизатора.
   Постоянные резисторы блока - МЛТ, подстроечный R1 - СП5-16; конденсаторы - КМ-5, КМ-6. К50-6. Транзистор VT9 и диод VD3 установлены на одной общей медной теплоотводящей пластике размерами 135х50х2 мм через слюдяные прокладки.
   Импульсный трансформатор Т1 намотан на броневом магнитопроводе Б36 из феррита 2000НМ с бумажной прокладкой толщиной 0,2 мм между чашками. Обмотки I и III выполнены жгутом из 10 проводов ПЭВ-2 0,2 и содержат соответственно 10 и 6 витков. Обмотка II - 3 витка провода ПЭВ-2 0,2.
   Дроссель L1 намотан на кольце типоразмера К20х10х6 из феррита 2000ММ. Обмотка содержит 20 витков провода ПЭВ-2 0,5.

Источник: Радио №10, 1991 г., стр.37
Автор: С. Швецов, г. Санкт-Петербург


Дата публікації: 2006-08-31
Прочитано: 731
Версія для друку: Версія для друку


      


дешёвые ноутбуки уборка квартиры ремонт кофемашины в Москве